北京市大学生电子设计竞赛题目

点赞:4885 浏览:15713 近期更新时间:2023-12-26 作者:网友分享原创网站原创

编者按:北京市大学生电子设计竞赛于2004年10月16日在北京举行.参加本次竞赛有的39所高校的514个代表队,其中获得一等奖的有51个队.本刊从今年第一期开始,陆续刊登本次竞赛的试题、获奖论文及辅导,希望对高校师生有所帮助.

北京市大学生电子设计竞赛题目参考属性评定
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第一题

图1所示为一由CMOS器件构成的双端输入、单端输出运算放大器电路.其中,M1、M2、M5和M7为N沟道增强型MOET,M3、M4和M6为P沟道增强型MOET.元件值和各MOET的宽长比注于图中(例如,M1的沟道宽度为W等于100μm,沟道长度为L等于1μm,其宽长比记为W/L等于100/1).

一、请说明电路中各元器件的作用.

二.按图1将电路和元器件参数输入到MULTISIM程序中,进行下列分析,说明进行该项分析时放大器输入端In1和In2处电路的连接状态,将所得数据填入表格中并回答所提问题.