潜心科研结硕果呕心沥血育英才

范广涵,男,1945年出生,1968年毕业于哈尔滨军事工程学院.博士生导师,国家级有突出贡献中青年专家；华南师范大学光电子材料与技术研究所所长；华南师范大学信息光电子科技学院学术委员会委员；省优秀归国留学人员、全国优秀科技工作者、广东省光学学会常务理事、广东省LED产业联盟监事.

范教授是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究和MOCVD技术研究的光电子专家.早在1972年,他就开始以氯化物法在蓝宝石衬底上生长GaN基蓝光材料和器件,积累了光电子材料与器件学科的丰富经验.他作为副组长承担的863计划光计算机项目“II-VI族超晶格结构光学双稳器件研究”获中科院自然科学一等奖；他负责的国家自然科学基金项目“ZnSe/ZnS光波导研究”被评为优等.他先后在国内和英国设计组装了8套MOCVD系统,其中1986年设计建造的II-VI族MOCVD系统获得中科院科技进步二等奖.

范广涵教授先后在英国曼彻斯特科技大学和东北威尔士学院工作六年多,从事II-IV和III-V族化合物光电子材料的MOCVD生长研究,并作为唯一的外籍专家参加了英国四个大学和三个公司组成的联合攻关项目.

1995年5月范广涵教授应南昌大学校长潘际銮院士邀请回国,担任材料科学研究所所长.以自己设计组装的MOCVD系统和配套测试设备,承担了国家863材料口的“氮化镓基蓝色LED研制”项目、“江西省重大攻关项目”等项目, 用自己设计建造的高速涡轮旋转MOCVD系统制备出高质量的GaN、GaInN材料.

1998年范教授来华南师范大学后,带领团队建成了MOCVD实验室,广东省教育厅重点实验室；攻克了四元系组份控制、双异质结构和多量子阱结构制备等一系列难关.只用了短短三个月时间,就做出了超过项目规定指标的红色超高亮度发光二极管.还试制出橙色和的UHB-LED,申请了多项LED的发明专利,带领全实验室和公司人员超标完成了“超高亮度发光二极管（UHB-LED）半工业化试验”重大攻关项目.

2005年以来,他作为“广州市LED工业研究开发基地”项目负责人,建设了包含氮化物MOCVD实验室、LED芯片研制实验室和材料、芯片、器件特性多功能测试分析实验室的基地研发中心.在华南地区建立起以半导体照明为主攻方向的光电子材料和器件学科的产、学、研示范基地.2010年他负责的粤港关键领域重点突破招标项目――发光二极管（LED）外延片材料和生长方法,被验收评定为国际先进.MOCVD项目已被列为广东光谷的“主攻方向”之一、“近期引进的重点产业项目”之一和“近期可产业化的本地科研成果”的首选项目.

在繁重的科研工作之余,范广涵教授还担任了博士和硕士生导师,培养了一批光电子材料与器件领域的硕士、博士和专家.在国内外核心刊物上发表学术论文150余篇,有的被引用30余次.已获授权专利7项.

“潜心科研结硕果,呕心沥血育英才”这就是范广涵的真实写照.